原子層沉積系統，也稱為原子層外延，或原子層化學氣相沉積。

　　原子層沉積系統是在加熱的襯底上連續引入至少兩個蒸汽前驅體源，當表面飽和時，化學吸附自動終止。合適的工藝溫度會阻礙分子在表面的物理吸附。基本的原子層沉積周期包括四個步驟:脈沖a、清洗a、脈沖b和清洗b，重復沉積周期，直到獲得所需的膜厚，這是制造納米結構以形成納米器件的工具。

　　原子層沉積系統的優勢包括:

　　1.通過控制反應循環次數，可以控制薄膜厚度，從而達到原子層厚度精度的薄膜;

　　2.由于前驅體被化學吸附飽和，保證生成大面積均勻薄膜;

　　3.原子層沉積系統可制備優良的三維共形化學計量膜，可用作納米多孔材料的階梯覆蓋和涂層;

　　4.可以沉積多組分納米薄層和混合氧化物;

　　5.薄膜生長可以在低溫(室溫至400℃以下)下進行;

　　6.原子層沉積系統可廣泛應用于各種形狀的基材;

　　7.原子層沉積系統生長的金屬氧化物薄膜可用于介質、電致發光顯示絕緣體、電容器電介質和微機電系統器件，生長的金屬氮化物薄膜適用于擴散阻擋層。

　　原子層沉積系統主要特征。

　　1.樣品類型:粉末樣品、旗幟樣品。

　　2.原子層沉積系統可與高真空等系統互聯。

　　3.腔體發熱400℃，控溫精度1℃。

　　4.復雜的管道氣體回路，可有八種前驅體、兩種氧化還原氣體回路和三種載氣。

　　5.高溫鼓泡器的獨特設計可以提高低蒸氣壓固體源的反應效率和重復性。

　　6.原子層沉積系統自動控制系統，可通過自編程實現不同類型ALD樣品的生長。

　　7.模糊算法自整定的PID自動溫度控制。

　　8.全金屬密封，適用于腐蝕性反應。

　　9.實時測量和控制氣體流量和真空度。

　　10.在線原位分析氣體成分。

　　11.原子層沉積系統帶有臭氧發生器和反應殘渣熱分解裝置。